少子寿命测试仪应用分享｜缺陷浓度测定

许多寿命测量方法，如QSSPC、μPCD或CDI，以及MDP在极低的注入浓度下都存在异常高的测量寿命。这种效应是由于样品中的捕获中心造成的。这些捕获中心对于了解材料中载流子的行为非常重要，并且也会对太阳能电池产生影响。因此，需要以精品麻豆乱伦视频率来测量缺陷密度和这些缺陷中心的活化能。

借助MDPmap和MDPingot，可以通过一次测量来测量光电导率以及少数载流子寿命，并在宽注入范围内实现全自动测量。巧妙的算法可以确定样品中的缺陷浓度。 

根据注入相关寿命曲线，可以确定低注入下的寿命τLLI，并且光电导率与修正后的HORNBECK和HAYNES模型相匹配。其中捕获密度NT和活化能EA是拟合参数。 

在mc-Si和Cz-Si晶片上获得了一个测量结果，并且可以确认缺陷密度和位错密度之间的相关性。

不同缺陷密度下的光电导率与Gopt的比较以及测得的光电导率曲线的拟合

MDPmap可以以精品麻豆乱伦视频率测量注入相关的光电导率和寿命曲线，从而可以确定缺陷密度和捕获中心的活化能。这样就可以研究缺陷的起源及其对太阳能电池效率等的影响。

 

若需了解更多信息，请阅读：

[1] J. A. Hornbeck and J. R. Haynes, Physical Review 97, 311-321 (1955)

[2] D. Macdonald and A. Cuevas, Applied Physics Letters 74, 1710 - 1712 (1999)

[3] N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, 25th PVSEC Valencia (2010) 343-346